[发明专利]高饱和磁化强度和高玻璃形成能力的铁基软磁材料有效
申请号: | 200910083111.2 | 申请日: | 2009-04-30 |
公开(公告)号: | CN101604567A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 吕昭平;李宏祥;焦增宝;陈国良;吴渊 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01F1/147 | 分类号: | H01F1/147;H01F1/153 |
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地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一系列新型高饱和磁化强度和高玻璃形成能力的铁基非晶和纳米晶软磁合金材料,其成分公式如下:FeaCbSicBdPeMfOgReh,M为过渡族元素中的一种,Re为稀土元素,其中a+b+c+d+e+f+g+h=100%,b的原子百分比范围为0-22,c的原子百分比范围为0-22,d的原子百分比范围为0-22,e的原子百分比范围为0-22,f的原子百分比范围为:当M为Cu时,f=0-2;当M为其余元素时,f=0-10,g的原子百分比范围为0-1,h的原子百分比范围为0-3,a为余量。本发明所涉及的新型合金既有高玻璃形成能力,又有大塑性形变和高的饱和磁化强度,更加适合实际的工业生产环境,具有广泛的产业化前景。 | ||
搜索关键词: | 饱和磁化强度 玻璃 形成 能力 铁基软磁 材料 | ||
【主权项】:
1、具有高饱和磁化强度和强玻璃形成能力的铁基软磁材料,其特征在于,该材料成分公式为FeaCbSicBdPeMfOgReh,M为Al、Mo、Cu、Ga、Co、Ni、Cr、Ti、V、W、Zr、Nb、Ta、Hf等过渡族元素中的一种,Re为稀土元素,其中a+b+c+d+e+f+g+h=100%,b的原子百分比范围为0-22,c的原子百分比范围为0-22,d的原子百分比范围为0-22,e的原子百分比范围为0-22,f的原子百分比范围为:当M为Cu时,f=0-2;当M为其余元素时,f=0-10,g的原子百分比范围为0-1,h的原子百分比范围为0-3,a为余量。
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