[发明专利]一种嵌段共轭聚合物及其制备方法与应用无效
| 申请号： | 200910083278.9 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101875716A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 薄志山;李韦伟;秦瑞平;李翠红;杜春;刘正平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所;北京师范大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种嵌段共轭聚合物及其制备方法与应用。该嵌段共轭聚合物的结构通式如式I所示。本发明对受体苯并噻二唑进行侧基修饰，得到的嵌段共轭聚合物一方面提高了溶解性，同时降低了烷基链的位阻，提高了结晶性能，从而得到了很高的有机太阳能电池效率。因而，本发明提供的嵌段共轭聚合物聚合物在太阳能电池中将会有广泛的应用前景。 |
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| 搜索关键词： | 一种 共轭 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.式I结构通式所示的嵌段共轭共聚物，![]()
(式I)所述式I结构通式中，Ar为苯基、噻吩基、芴基、咔唑基、硅芳香杂环基或噻唑杂环芳香基；R为C1-C32的烷烃基、C2-C32的烯烃基、C2-C32的炔烃基、醚氧基、烷基链胺或巯基；n为大于等于4且小于等于100的整数。
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