[发明专利]可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件无效

专利信息
申请号: 200910083493.9 申请日: 2009-05-06
公开(公告)号: CN101882629A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 孙晓明;郑厚植;甘华东;申超 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L29/66 分类号: H01L29/66;H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0352
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件,包括:一砷化镓衬底;一砷化镓缓冲层,该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上;一微腔结构,该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。本发明可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件结构,运用这种器件结构,可以在一个器件结构中实现自旋的存储、自旋的探测以及光探测三种功能。
搜索关键词: 实现 自旋 存储 探测 探测器 复合 功能 器件
【主权项】:
一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件,包括:一砷化镓衬底;一砷化镓缓冲层,该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上;一微腔结构,该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。
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