[发明专利]多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备无效
| 申请号： | 200910083508.1 | 申请日： | 2009-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101880863A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;刘明;陈宝钦;谢常青;贾锐;徐连生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23F4/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，包括：一真空腔室；一溅射沉积与刻蚀工件台，设置于该真空腔室的顶部正中位置，其下表面与水平面平行；一刻蚀离子源，设置于该真空腔室的底部正中位置，与溅射沉积与刻蚀工件台相对；二溅射靶台，设置于该真空腔室的下部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向；二溅射离子源，设置于该真空腔室的中部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向，发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角；一辅助清洗离子源，设置于该真空腔室的中部，发射的离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。该设备兼备各种功能，可用于介质和金属材料的溅射沉积刻蚀抛光减薄和热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 多功能 离子束 溅射 沉积 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
一种多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备，其特征在于，该设备包括：一真空腔室；一溅射沉积与刻蚀工件台，用于装载基片，设置于该真空腔室的顶部正中位置，其下表面与水平面平行；一刻蚀离子源，设置于该真空腔室的底部正中位置，与溅射沉积与刻蚀工件台相对，采用射频离子源或直流离子源，竖直向上发射离子束，并且离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面垂直；二溅射靶台，设置于该真空腔室的下部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向，用于装载靶材；二溅射离子源，设置于该真空腔室的中部，左右对称于该刻蚀离子源发射的离子束所在的方向，采用射频离子源或直流离子源发射离子束，发射的离子束与溅射靶台上装载的一个靶材表面成45°角；一辅助清洗离子源，设置于该真空腔室的中部，用于基片的清洗或溅射过程中的辅助轰击，采用射频离子源或直流离子源，辅助清洗离子源斜向上发射离子束，并且发射的离子束与该溅射沉积与刻蚀工件台下表面成30°角。
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