[发明专利]CMOS图像传感器电路结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器电路结构及其制作方法，包括浮动节点、MIP电容器，浮动节点包括PN结电容器，PN结电容器的上方设有由金属层构成的遮光层；MIP电容器自下而上包括下电极多晶硅、绝缘介质层和上电极金属层，形成该电容器同时，在浮动节点的PN结电容器的上面也形成由金属层构成的遮光层，可反射或吸收散射光和反射光，使其不能进入浮动节点，从而降低图像传感器的光学串扰和噪声。由于MIP电容器与遮光层处于CMOS图像传感器电路结构的同一层次上，可以通过一次沉积完成，简化了工艺。

主权项

1、一种CMOS图像传感器电路结构，包括浮动节点，所述浮动节点包括PN结电容器，其特征在于，所述PN结电容器的上方设有由金属层构成的遮光层。