[发明专利]基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件

摘要

基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件，属于微波光子学领域的光电子器件制备技术领域，尤其涉及基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件。该集成光电子器件将两个从激光器集成在同一个衬底上，在衬底上依次外延下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层，通过Y分支波导或多模干涉器将两个从激光器耦合在一起，从而实现外置主激光器调制边带的注入，进行注入锁定；再通过Y分支波导或多模干涉器耦合输出，进行拍差，就可以获得高频微波。本发明还可以进一步集成一个主激光器以及一个电吸收调制器，进一步提高集成度。本发明结构新颖，制作工艺简单，将在未来的高速通讯领域具有良好的应用前景。

主权项

1.基于边带注入锁定用于产生高频微波的集成光电子器件，其特征在于，是一种在同一芯片上集成了两个从激光器的Y分支波导耦合式光生微波集成光电子器件，含有：依次外延生长在N型衬底上的如下外延层：下包层、下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层，在所述N型衬底上镀有N型电极，在所述欧姆接触层上镀有P电极，以及制作在所述上包层上的脊波导结构，在所述脊波导结构的两侧用SiO2绝缘层来覆盖或填平，脊顶上的SiO2绝缘层被腐蚀，以及按两段依次分别集成在所述脊波导结构两端上的从激光器段和Y分支波导段，其中：所述的从激光器段由两个作为从激光器的分布反馈激光器构成，所述两个分布反馈分布反馈激光器的同侧端用所述Y分支波导耦合，在所述两个分布反馈激光器与所述Y分支波导相连处有一个电隔离区，在该电隔离区没有所述P电极和所述欧姆接触层，另外，在所述光栅层上在生长过程中制作出光栅结构，并去除所述Y分支波导段内的光栅结构。