[发明专利]具有全摆幅的差分压控可调延时单元无效
申请号: | 200910085484.3 | 申请日: | 2009-05-22 |
公开(公告)号: | CN101567679A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 彭锦;乔飞;杨华中 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H03K5/13 | 分类号: | H03K5/13;H03K19/0185;H03K3/03 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱 琨 |
地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 具有全摆幅的差分压控可调延时单元属于片上环形振荡器领域,其特征在于,一方面,电路使用对称负载,以两个交叉耦合后接地的NMOS管作为差分输入端;另一方面,又对对称负载进行分别控制,通过调节控制电压来调节两个对称负载输入漏极电流的比例,这样,在保持较大摆幅的情况下,控制电压和频率都有较大的调节范围,同时又保持了较小的上升下降时间,用于代替片上振荡器中的LC振荡电路,使振荡器易于集成,增大了频率可调范围,同时又可产生不同相位的输出电压。 | ||
搜索关键词: | 具有 全摆幅 差分压控 可调 延时 单元 | ||
【主权项】:
1、具有全摆幅的差分压控可调延时单元,其特征在于,包含:五个PMOS管:第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5),四个NMOS管:第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)和第四NMOS管(MN4),其中:第一PMOS管(MP1),源级和衬底相连后接电源电压(VDD),栅极接控制电压(VC);第四PMOS管(MP4),衬底和源级相连后接所述第一PMOS管(MP1)的漏级,该第四PMOS管(MP4)的栅极和漏级相连后构成第一个电压输出端(VOUT1);第五PMOS管(MP5),衬底和源级相连后接所述第一PMOS管(MP1)的漏级,该第五PMOS管(MP5)的栅极和漏级相连后构成第二个电压输出端(VOUT2);第二PMOS管(MP2),衬底和源级相连后接所述电源电压(VDD),该第二PMOS管(MP2)的漏级接所述第一个电压输出端(VOUT1),该第二PMOS管(MP2)的栅极接所述第二个电压输出端(VOUT2);第三PMOS管(MP3),衬底和源级相连后接所述电源电压(VDD),该第三PMOS管(MP3)的漏级接所述第二个电压输出端(VOUT2),该第三PMOS管(MP3)的栅极接所述第一个电压输出端(VOUT1);第一NMOS管(MN1),漏级接所述第二个电压输出端(VOUT2),而衬底和源级相连后接地,栅极接第一个电压输出端(VOUT1);第二NMOS管(MN2),漏级接所述第一个电压输出端(VOUT1),而衬底和源级相连后接地,栅极接第二个电压输出端(VOUT2);第三NMOS管(MN3),漏级接所述第一NMOS管(MN1)的栅极,该第三NMOS管(MN3)的衬底和源级相连后接地,而栅极则接第一输入电压(VIN1);第四NMOS管(MN4),漏级接所述第二NMOS管(MN2)的栅极,该第四NMOS管(MN4)的衬底和源级相连后接地,而栅极则接第二输入电压(VIN2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910085484.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:不连续接收非活动定时器配置方法和装置
- 下一篇:电动汽车中的电气安全电路