[发明专利]Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法无效
申请号: | 200910085917.5 | 申请日: | 2009-05-27 |
公开(公告)号: | CN101898751A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 孙苋;刘文宝;朱建军;江德生;王辉;张书明;刘宗顺;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C01B21/00 | 分类号: | C01B21/00;C01B21/06;C01B21/064;B82B3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种III族氮化物纳米材料的生长方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜;步骤2:采用两步快速热退火方法,使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒;步骤3:用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模,采用干法刻蚀SiO2层,形成SiO2纳米柱;步骤4:用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模,采用干法刻蚀GaN模板,形成GaN纳米柱阵列;步骤5:用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒,得到GaN纳米柱阵列;步骤6:在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNIII族氮化物半导体材料。 | ||
搜索关键词: | 氮化物 纳米 材料 生长 方法 | ||
【主权项】:
一种III族氮化物纳米材料的生长方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜;步骤2:采用两步快速热退火方法,使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒;步骤3:用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模,采用干法刻蚀SiO2层,形成SiO2纳米柱;步骤4:用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模,采用干法刻蚀GaN模板,形成GaN纳米柱阵列;步骤5:用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒,得到GaN纳米柱阵列;步骤6:在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaN III族氮化物半导体材料。
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