[发明专利]一种非易失存储器的擦除方法及装置有效
| 申请号： | 200910086290.5 | 申请日： | 2009-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101923899A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 舒清明;潘荣华;苏志强 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/16;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失存储器的擦除方法，包括：当执行完擦除步骤后，一旦通过第一软编程校验步骤发现目标擦除块中，存在处于过擦除状态的存储单元，则触发第一软编程步骤收敛处于过擦除状态的存储单元的阈值电压的分布范围；当通过擦除校验步骤校验目标擦除块成功擦除后，如果第二软编程校验步骤发现目标擦除块中，又出现处于过擦除状态的存储单元，则触发第二软编程步骤将目标擦除块中所有处于过擦除状态的存储单元都编程到正常的擦除范围，使这些存储单元的阈值电压都提高到擦除状态之内。本发明可以更为精准地控制擦除操作后的cell的VT，以方便后续的编程操作，提高存储器的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 存储器 擦除 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失存储器的擦除方法，其特征在于，包括：预编程校验步骤：校验目标擦除块是否需要进行预编程操作，若是，则执行预编程步骤；若否，则执行擦除步骤；预编程步骤：对所述目标擦除块进行预编程操作，并返回预编程校验步骤；擦除步骤：对所述目标擦除块进行擦除操作；第一软编程校验步骤：校验所述目标擦除块是否需要进行软编程操作，若是，则执行第一软编程步骤；若否，则执行擦除校验步骤；第一软编程步骤：对所述目标擦除块进行软编程操作，并返回第一软编程校验步骤；擦除校验步骤：校验所述擦除操作是否成功，若否，则返回擦除步骤；若是，则执行第二软编程校验步骤；第二软编程校验步骤：校验所述目标擦除块是否需要进行软编程操作，若是，则执行第二软编程步骤；若否，则结束此次擦除过程；第二软编程步骤：对所述目标擦除块进行软编程操作，并返回第二软编程校验步骤。
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