[发明专利]一次性可编程存储器、制造及编程读取方法

摘要

本发明公开了双二极管结构的一次性可编程存储器、制造及编程读取方法，双二极管结构的一次性可编程存储器单元包括：第一二极管，由第一掺杂区与离子注入区形成；第二二极管，由离子注入区与第二掺杂区形成；第一二极管与第二二极管串联连接；第一二极管与字线相连接，第二二极管与位线相连接；第一二极管的反向击穿电压不同于第二二极管的反向击穿电压。利用第一二极管被击穿时形成导通电阻，未击穿时关闭的特性以及第二二极管的正向导通与反向关闭的特性，实现存储单元面积小，集成度高，能够随工艺的发展而进一步提高集成度，基于现有逻辑工艺，无需增加特殊工艺、具有高数据存储稳定性和可靠性的一次性可编程存储器。

主权项

一种双二极管结构的一次性可编程存储器，其特征在于，包括多个双二极管结构的一次性可编程存储器单元，所述双二极管结构的一次性可编程存储器单元包括：第一二极管，由第一掺杂区与离子注入区形成；第二二极管，由所述离子注入区与第二掺杂区形成；所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的离子掺杂浓度不同；所述第一二极管与所述第二二极管串联连接；所述第一二极管与字线相连接，所述第二二极管与位线相连接；所述第一二极管的反向击穿电压不同于所述第二二极管的反向击穿电压。