[发明专利]制作纳米管道的方法无效
| 申请号： | 200910087127.0 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101920931A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张加勇;王晓峰;杨富华;王晓东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制作纳米管道的方法，包括如下步骤：在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层；在该电热绝缘材料层上淀积一层基底材料层并用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和去除基底材料层的上面及侧壁淀积侧墙材料层；采用干法回刻，去除基底材料层上表面的侧墙材料层及电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；用湿法腐蚀的方法去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；采用光刻+剥离工艺或者光刻+干法刻蚀工艺在该侧墙材料层的相对两侧边上搭上一条制作纳米管道的抗腐蚀材料层；用湿法腐蚀方法去除侧墙同时留下抗腐蚀材料层，形成纳米尺寸的管道。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 纳米 管道 方法 | ||
【主权项】：
一种制作纳米管道的方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层；步骤2：在该电热绝缘材料层上淀积一层基底材料层并用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；步骤3：在该电热绝缘材料层的上面和去除基底材料层的上面及侧壁淀积侧墙材料层；步骤4：采用干法回刻，去除基底材料层上表面的侧墙材料层及电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；步骤5：用湿法腐蚀的方法去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；步骤6：采用光刻+剥离工艺或者光刻+干法刻蚀工艺在该侧墙材料层的相对两侧边上搭上一条制作纳米管道的抗腐蚀材料层；步骤7、用湿法腐蚀方法去除侧墙同时留下抗腐蚀材料层，形成纳米尺寸的管道。
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