[发明专利]基于HSQ工艺的制作位相型光子筛的方法无效
| 申请号： | 200910087348.8 | 申请日： | 2009-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101923182A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 贾佳;潘一鸣;谢常青;朱效立;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用HSQ工艺制作位相型光子筛的方法，该方法包括：A、制作第一光子筛掩膜版A和第二光子筛掩膜版B；B、在基片上涂HSQ胶，用第一光子筛掩膜版A对其进行光刻、烘干，并蒸发一层金属膜；C、用电化学腐蚀法去除HSQ上的金属膜；D、在基片上涂5214正胶，用第二光子筛掩膜版B对其进行光刻，对暴露出来的部分去金属膜；E、去胶后得到位相型光子筛。本发明相对于传统的刻蚀法，具有制造工艺简单，成本低，稳定性好，并能达到更高的分辨率等特性，有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 hsq 工艺 制作 位相 光子 方法 | ||
【主权项】：
一种采用HSQ工艺制作位相型光子筛的方法，其特征在于，该方法包括：A、制作第一光子筛掩膜版A和第二光子筛掩膜版B；B、在基片上涂HSQ胶，用第一光子筛掩膜版A对其进行光刻、烘干，并蒸发一层金属膜；C、用电化学腐蚀法去除HSQ上的金属膜；D、在基片上涂5214正胶，用第二光子筛掩膜版B对其进行光刻，对暴露出来的部分去金属膜；E、去胶后得到位相型光子筛。
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