[发明专利]一种减少八仙花组培苗气生根的方法无效
申请号: | 200910087605.8 | 申请日: | 2009-06-24 |
公开(公告)号: | CN101578960A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 王彩云;黄丽莉;刘峰;李扬丽 | 申请(专利权)人: | 华中农业大学 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00;A01G31/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张红兵 |
地址: | 430070湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于植物组织培养技术领域,具体公开了一种减少八仙花气生根方法,解决了八仙花组培过程中气生根的问题,可提高八仙花组培苗的移栽成活率。本发明通过以下步骤实现:以八仙花组培苗为实验材料,接种于珍珠岩(40-60ml)+25-35ml液体生根培养基(1/2B5+NAA或IBA0.1-1.0mg/L+糖10g/L pH4-7),30天后组培苗无气生根形成,培养瓶内生根率达100%,移栽成活率可达100%。本发明不仅提高移栽成活率和简化移栽操作程序,而且用珍珠岩代替琼脂,可循环利用,节约了组培成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 减少 八仙花 组培苗气 生根 方法 | ||
【主权项】:
1、一种减少八仙花组培苗气生根的方法,其步骤包括:A:在培养瓶中加入40-60ml的珍珠岩,然后加入25-35ml液体生根培养基,所述的液体生根培养基成分及配比如下:1/2B5基本培养基+萘乙酸或吲哚丁酸0.1-1.0mg/L+蔗糖10g/L,调pH至4-7,在121℃下高压蒸汽灭菌20min,备用;B:在无菌环境下,将苗高为1-2cm具有2片以上叶片的八仙花组培苗的顶芽接种于A步骤制备的生根培养基中,在培养室培养30-50天;C:从珍珠岩中取出八仙花组培苗,勿需清洗和炼苗,直接将八仙花组培苗移栽到体积比为1∶1的泥炭土:珍珠岩的基质中;其中上述步骤A和B的培养条件是:光照为1500-2000xl,光照时间16h.d-1,培养温度为23-25℃;上述步骤C的移栽条件是:遮荫为80%,保持相对湿度为95%,栽培温度为25℃;上述步骤A的1/2B5基本培养基成分按mg/L计的配比如下:硝酸钾 1250.0;二水氯化钙 75.0;七水硫酸镁 125.0;硫酸氨 67.0;磷酸二氢钠 75.0;碘化钾 0.375;硼酸 1.5;四水硫酸锰 5.0;七水硫酸锌 1.0;二水钼酸钠 0.125;五水硫酸铜 0.0125;六水氯化钴 0.0125;七水硫酸亚铁 13.9;乙二胺四乙酸二钠 18.7;肌醇 50.0;烟酸 0.5;盐酸吡哆醇 0.5;盐酸硫胺素 5.0。
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