[发明专利]半导体可饱和吸收镜及其制备方法及光纤激光器无效
| 申请号： | 200910088161.X | 申请日： | 2009-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101635431A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 陈玲玲;张梦;张志刚;樊仲维 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北京国科世纪激光技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;H01S3/067;H01S3/0941;H01S3/08;H01S3/16;H01S3/10;H01S3/101;H01S3/063 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡小永 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体可饱和吸收镜及其制备方法及光纤激光器。所述半导体可饱和吸收镜包括：衬底；制作在所述衬底上的反射镜及制作在所述反射镜上的吸收层，所述反射镜为由多对高低折射率层构成的布拉格反射镜；所述吸收层包括若干个吸收子层，每一吸收子层同与其晶格匹配的缓冲层交互生长，所述缓冲层为透明半导体层；所述吸收子层的厚度相同。本发明提供的半导体可饱和吸收镜为高一致性宽带高调制深度半导体可饱和吸收镜，通过提高带宽范围内调制深度的一致性，增加了使用带宽，利用半导体可饱和吸收镜来启动锁模从而得到稳定的锁模脉冲输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 饱和 吸收 及其 制备 方法 光纤 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体可饱和吸收镜，其包括：衬底；制作在所述衬底上的反射镜及制作在所述反射镜上的吸收层，其特征在于，所述反射镜为由多对高低折射率层构成的布拉格反射镜；所述吸收层包括若干个吸收子层，每一吸收子层同与其晶格匹配的缓冲层交互生长，所述缓冲层为透明半导体层；所述吸收子层的厚度相同。
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