[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910088290.9 | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101957525A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 马占洁 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线、数据线、薄膜晶体管以及构成存储电容的像素电极和公共电极线，公共电极线与像素电极之间设置有脉冲电极，脉冲电极用于在像素电极开始充电时使所述存储电容具有第一电容值，在像素电极充电结束时使所述存储电容具有第二电容值，第一电容值小于第二电容值。本发明在像素电极和公共电极线之间设置脉冲电极，一方面使存储电容在像素电极开始充电时具有较小的电容值，降低薄膜晶体管的负载，提高薄膜晶体管的充电能力，另一方面使存储电容在像素电极充电结束时具有较大的电容值，增强像素电极电压的保持特性，降低在薄膜晶体管关断瞬间像素电极的跳变电压。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线、数据线、薄膜晶体管以及构成存储电容的像素电极和公共电极线，其特征在于，所述公共电极线与像素电极之间设置有脉冲电极，所述脉冲电极用于在所述像素电极开始充电时使所述存储电容具有第一电容值，在所述像素电极充电结束时使所述存储电容具有第二电容值，所述第一电容值小于第二电容值。
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