[发明专利]提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构无效
| 申请号： | 200910088462.2 | 申请日： | 2009-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN101937135A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 程勇鹏;陈少武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构，包括：一MZI调制器结构，包括第一调制臂和第二调制臂，该第一和第二调制臂为脊形光波导结构，该第一和第二调制臂分为第一平板区和第二平板区及第一内脊区和第二内脊区’，在第一和第二内脊区两旁的第一和第二平板区分别有第一、第二、第三和第四掺杂区域，该第一、第二、第三和第四掺杂区域在第一和第二平板区时为PIN电学调制结构；在第一和第二调制臂内侧相邻的第二和第三两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第一极，在另外第一和第四两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第二极；一高频驱动电路，该高频驱动电路的两端分别与高频驱动电路的第一、二极相连。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 mzi 电光 调制器 速度 效率 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构，包括：一MZI调制器结构，包括第一调制臂和第二调制臂，该第一和第二调制臂为脊形光波导结构，该第一和第二调制臂分为第一平板区和第二平板区及第一内脊区和第二内脊区’，在第一和第二内脊区两旁的第一和第二平板区分别有第一、第二、第三和第四掺杂区域，该第一、第二、第三和第四掺杂区域在第一和第二平板区时为PIN电学调制结构；在第一和第二调制臂内侧相邻的第二和第三两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第一极，在另外第一和第四两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第二极；一高频驱动电路，该高频驱动电路的两端分别与高频驱动电路的第一、二极相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910088462.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
