[发明专利]一种电源、地上毛刺的快速低功耗检测电路有效

专利信息
申请号: 200910088707.1 申请日: 2009-07-06
公开(公告)号: CN101943729A 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 马哲;张建平 申请(专利权)人: 北京中电华大电子设计有限责任公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种电源、地上毛刺的快速低功耗检测电路。本发明提供一种对集成电路电源、地上出现的glitch(毛刺)进行快速检测的电路,本发明的检测电路包括采样模块、正glitch检测模块、负glitch检测模块以及与非门;采样模块由电阻、电容构成,实现对电源、地上出现的glitch采样作用;正glitch检测模块由MOS开关管、下拉管、对地电容、反相器构成;负glitch检测模块由MOS开关管、下拉管、对地电容、反相器构成;与非门对正、负glitch的输出进行与非运算后作为本检测电路的输出。
搜索关键词: 一种 电源 地上 毛刺 快速 功耗 检测 电路
【主权项】:
一种电源、地上毛刺的快速低功耗检测电路,其特征在于:该检测电路包括采样模块、正glitch检测模块、负glitch检测模块、与非门;其中:所述采样模块由电阻R1、电容C1串联构成,电阻R1一端为电源VDD,电阻R1与电容C1的公共节点为VDDIN、电容C1的另一节点接GND;采样电路提供正、负glitch检测模块的输入信号;所述正glitch检测模块由PMOS管P1、P2,NMOS管N1、N2,电容C2构成;PMOS管P1源端接VDD、栅端接VDDIN、漏端接POS_IN;电容C2一端接POS_IN、另一端接GND;NMOS管N1栅端、漏端接POS_IN,源端接GND;PMOS管P2栅端接POS_IN、漏端接POS_OUT、源端接VDDIN;NMOS管N2,栅端接POS_IN、漏端接POS_OUT、源端接GND;正glitch检测模块实现对电源上出现的正glitch进行实时检测,对地上出现的负glitch进行实时检测;所述负glitch检测模块由PMOS管P3、P4,NMOS管N3、N4,电容C3构成;PMOS管P3源端接VDDIN、栅端接VDD、漏端接NEG_IN;电容C3一端接NEG_IN、另一端接GND;NMOS管N3栅端、漏端接NEG_IN,源端接GND;PMOS管P4栅端接NEG_IN、漏端接NEG_OUT、源端接VDDIN;NMOS管N4,栅端接NEG_IN、漏端接NEG_OUT、源端接GND;负glitch检测模块实现对电源上出现的负glitch进行实时检测,对地上出现的正glitch进行实时检测;所述与非门:由与非门构成,与非门输入接NEG_OUT、POS_OUT,输出接OUT,与非门对正、负glitch检测模块的输出进行与非运算后输出标志信号OUT。
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