[发明专利]一种化学浴沉积硫化铟薄膜的方法无效
申请号: | 200910088840.7 | 申请日: | 2009-07-20 |
公开(公告)号: | CN101608304A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
发明(设计)人: | 汪浩;高志华;李坤威;严辉 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C23C18/16 | 分类号: | C23C18/16;C03C17/22;C01G15/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 魏聿珠 |
地址: | 100124*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种化学浴沉积硫化铟薄膜的方法,属于功能薄膜材料的制备技术领域。目前现有的制备硫化铟的方法,对沉积条件要求较高,需要高温加热,对沉积衬底有很大的局限性。制备硫化铟的方法采用柠檬酸或丙二酸作为络合剂,在低于100℃的水浴环境下,即可在改性的普通玻璃上均获得具有立方结构,均一致密且高度结晶的硫化铟薄膜。本发明对衬底无选择性,低温溶液中合成,具有良好结晶性,工艺简单,成本低廉,适合于大规模生产应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 化学 沉积 硫化 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1、一种化学浴沉积硫化铟薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:a)衬底的预处理:将玻璃衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇在超声清洗器中充分清洗后,再用去离子水冲洗,然后用体积比为7∶3的浓H2SO4和30%H2O2溶液在80℃反应氧化30分钟,之后将衬底浸泡于体积比1∶100的巯基硅乙酯的无水乙醇溶液(巯基硅乙酯∶无水乙醇=1∶100)中,备用;b)将络合剂溶解于去离子水中,充分搅拌均匀后,加入氯化铟,络合剂与氯化铟的摩尔比为7∶1,持续搅拌溶液,得到完全澄清透明的溶液A;c)向溶液A中加入HCl溶液调节pH值为1~2,得到溶液B;d)向溶液B中缓慢加入硫代乙酰胺溶液,硫代乙酰胺与氯化铟摩尔比为7∶1,并搅拌均匀,得到澄清透明溶液C,并将C溶液转移至反应容器中;e)将经过预处理的玻璃衬底用去离子水冲洗后,放入盛有C的反应容器中,使衬底垂直放置于溶液中,防止反应气体挥发在衬底表面形成气泡影响薄膜连续性,将反应容器盖好,在70~90℃水浴条件下反应4~10小时,得到橙红色硫化铟薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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