[发明专利]一种碲化铋纳米晶块体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910088915.1 | 申请日： | 2009-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101597034A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 张忻;马旭颐 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张 慧 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碲化铋纳米晶块体材料及其制备方法属于纳米材料制备领域。本发明的材料的特征在于，其化学组成为Bi2Te3，块体材料的晶粒粒径为30-100nm。本发明提供的制备方法特征在于，它包括以下步骤：分别以碲和铋的单质块为阳极，以金属钨为阴极，在氩气压力为0.05～0.1MPa的气氛中，采用直流电弧蒸发冷凝的方法制备出粒径为10～50nm的碲和铋的纳米粉末。将碲和铋的纳米粉末于氩气气氛中，按摩尔比3∶2，研磨混合后装入石墨模具中，将模具置于SPS烧结腔体中，施加30～50MPa的轴向压力，在氩气气氛或真空度为5～8Pa的条件下烧结，随炉冷却至室温得到碲化铋纳米晶块体材料。本发明方法工艺简单，且制备的碲化铋块体纯度高、晶粒尺度可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化铋 纳米 块体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碲化铋纳米晶块体材料，其特征在于，所述的块体材料的化学成分为Bi2Te3，块体材料的晶粒粒径为30～100nm。
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