[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910088925.5 | 申请日： | 2009-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101957528A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 彭志龙;董云;刘玉清 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，栅线的侧面设置有用于避免栅线与数据线短路的隔离坝。隔离坝为形成在栅线一侧或两侧并与数据线交叠的条状体，条状体与栅线同层设置并在同一次构图工艺中形成。本发明通过设置隔离坝，在栅线与数据线的交叉区域附近形成多个边缘结构，一方面通过边缘结构的增加来降低每个边缘上附着微粒的密度，另一方面利用隔离坝的边缘吸引微粒附着，最终减小微粒落在栅线边缘的几率，最大限度地减少栅线与数据线短路的发生。与现有技术解决微粒导致栅线与数据线短路问题的手段相比，本发明技术方案不仅结构简单，便于实施，而且收效显著。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述栅线的侧面设置有用于避免栅线与数据线短路的隔离坝。
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