[发明专利]一种高介电常数聚合物基纳米复合材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910089271.8 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101955621A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 党智敏;王海燕 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08K3/24 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高介电常数聚合物基纳米复合材料的制备方法属于高分子纳米材料领域。本发明通过将粒度为30～60nm的钛酸钡粉体与粒度为0.1～0.2μm的聚偏氟乙烯加入无水乙醇中超声波分散后，烘干，并在粉末压片机上于180～200℃和10～15MPa压力下热压，得到高介电常数聚合物基纳米复合材料；其中，钛酸钡粉体的用量为钛酸钡粉体与聚偏氟乙烯总体积的10～60％。本发明工艺简单，易操作，成本低廉，环境污染少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 聚合物 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高介电常数聚合物基纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将粒度为30～60nm的钛酸钡粉体与粒度为0.1～0.2μm聚偏氟乙烯加入无水乙醇中超声波分散后，烘干，并在粉末压片机上于180～200℃和10～15MPa压力下热压，得到高介电常数聚合物基纳米复合材料；其中，钛酸钡粉体的用量为钛酸钡粉体与聚偏氟乙烯总体积的10～60％。
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