[发明专利]基于硒等离子体制备铜铟镓硒薄膜及光伏薄膜电池的方法无效
| 申请号： | 200910089397.5 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101956164A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 何整风;傅正文 | 申请（专利权）人： | 何整风 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 100089 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于硒等离子体制备铜铟镓硒薄膜及铜铟镓硒光伏薄膜电池的方法，该方法包括：步骤1：通过一离子源离化工作气体使其处于等离子体态，以向一蒸发源室内提供该等离子体；步骤2：利用一电子枪蒸发硒材料以于蒸发源室内产生硒蒸气；步骤3：通过将一坩埚接正偏压，使工作气体在电离过程中所产生的电子云与硒蒸气相互碰撞，产生硒等离子体；以及步骤4：将被镀基片加热到预期硒化温度，利用置于蒸发源室内的蒸发源在硒等离子体气氛背压环境下，分别蒸发铜、铟、镓金属材料，以在基片上沉积铜铟镓硒光伏薄膜。采用该方法降低了铜铟镓硒薄膜生长过程中硒化温度，提高了铜铟镓硒薄膜各种材料比例精度，实现了大面积均匀制备铜铟镓硒薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 等离子体 制备 铜铟镓硒 薄膜 电池 方法 | ||
【主权项】：
一种制备铜铟镓硒光伏薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：通过一离子源离化工作气体使其处于等离子体态，以向一蒸发源室内提供该等离子体；步骤2：利用一电子枪蒸发硒材料以于蒸发源室内产生硒蒸气；步骤3：通过将一坩埚接正偏压，使工作气体在电离过程中所产生的电子云与硒蒸气相互碰撞，产生硒等离子体；以及步骤4：将被镀基片加热到预期硒化温度，利用置于蒸发源室内的蒸发源在硒等离子体气氛背压环境下，分别蒸发铜、铟、镓金属材料，以在基片上沉积铜铟镓硒光伏薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于何整风，未经何整风许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910089397.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无铅压电陶瓷薄膜的制备方法
- 下一篇：去水体富营养化的方法
- 同类专利
- 专利分类
