[发明专利]一种制备SiC纳米线阵列的方法有效
| 申请号： | 200910089510.X | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101613881A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 师文生;刘海龙;佘广为;凌世婷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B29/60;C30B1/10 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 李 柏 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域。特别涉及一种制备SiC纳米线阵列的方法。本发明的SiC纳米线阵列制备方法包括以下过程：用化学刻蚀的方法在单晶硅基片表面制备硅纳米线阵列，将表面有硅纳米线阵列的硅基片放置在盛有石墨粉的石墨坩埚中，再将石墨坩埚放入管式炉中加热，在加热过程中，通入惰性气体作为保护气，最终得到SiC纳米线阵列。本发明的制备SiC纳米线阵列方法简单易行，所制备的SiC纳米线阵列在场发射及高温、高频、大功率的半导体器件方面具有巨大的潜在应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 sic 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备SiC纳米线阵列的方法，其特征是：将纯度为99.99％的石墨粉放入石墨坩埚的底部，并在位于石墨坩埚中间处的石墨粉表面上放置一片带有多孔的石墨片，将表面有硅纳米线阵列的单晶硅基片放在带有多孔的石墨片上，然后将石墨坩埚放入管式炉的中心；或将纯度为99.99％的石墨粉放入石墨坩埚的底部，将表面有硅纳米线阵列的单晶硅基片直接埋于石墨粉里，然后将石墨坩埚放入管式炉的中心；将管式炉加热到温度为1200～1300℃，保温60～120分钟；在单晶硅基片上面得到SiC纳米线阵列；整个加热及保温过程中通入惰性气体作为保护气体，管式炉内的压强为40～70Pa。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院理化技术研究所，未经中国科学院理化技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910089510.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
