[发明专利]一种实现多值电阻存储器的方法无效
| 申请号： | 200910089595.1 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101964395A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 刘明;张森;刘琦;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种实现多值电阻存储器的方法，该方法包括：制作电极层/电阻转变层/电极层这样三明治结构的电阻存储器单元，并在电极层与电阻转变层交界的电极层表面上制作多个突起的导电尖端，该导电尖端的高度不等；在两边电极层加大小不等的电压，在导电尖端处形成尖端电场，该电场诱导导电细丝在尖端处形成并最终连通两电极层，实现多值电阻存储器。利用本发明，实现了电阻存储器的多值存储。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 电阻 存储器 方法 | ||
【主权项】：
一种实现多值电阻存储器的方法，其特征在于，该方法包括：制作电极层/电阻转变层/电极层这样三明治结构的电阻存储器单元，并在电极层与电阻转变层交界的电极层表面上制作多个突起的导电尖端，该导电尖端的高度不等；在两边电极层加大小不等的电压，在导电尖端处形成电场，该电场诱导导电细丝在尖端处形成并最终连通两电极层，实现多值电阻存储器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910089595.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
