[发明专利]一种深硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 200910089819.9 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101962773A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 周洋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深硅刻蚀方法，首先刻蚀未被光阻层覆盖的硅片表面，以形成刻蚀面和基本垂直于所述刻蚀面的侧壁，还包括以下步骤：沉积步骤：进行各向同性沉积，以在刻蚀面、侧壁和所述光阻层的表面覆盖阻挡层；第一刻蚀步骤：进行各向异性刻蚀，以去除所述刻蚀面上覆盖的阻挡层而使所述刻蚀面暴露，而所述光阻层被其上覆盖的阻挡层保护而不被刻蚀；第二刻蚀步骤：进行各向同性刻蚀，以刻蚀所述暴露的刻蚀面，所述侧壁被其上覆盖的阻挡层保护而不被刻蚀，而所述光阻层在该各向同性刻蚀中不受损伤；循环重复所述沉积步骤、第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤直至达到预定的刻蚀深度。所述方法不需要使用低频脉冲电源等复杂的设备，有利于设备的维护和降低设备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种深硅刻蚀方法，首先刻蚀未被光阻层覆盖的硅片表面，以形成刻蚀面和基本垂直于所述刻蚀面的侧壁，其特征在于，还包括以下步骤：沉积步骤：进行各向同性沉积，以在刻蚀面、侧壁和所述光阻层的表面覆盖阻挡层；第一刻蚀步骤：进行各向异性刻蚀，以去除所述刻蚀面上覆盖的阻挡层而使所述刻蚀面暴露，而所述光阻层被其上覆盖的阻挡层保护而不被刻蚀；第二刻蚀步骤：进行各向同性刻蚀，以刻蚀所述暴露的刻蚀面，所述侧壁被其上覆盖的阻挡层保护而不被刻蚀，而所述光阻层在该各向同性刻蚀中不受损伤；循环重复所述沉积步骤、第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤直至达到预定的刻蚀深度。
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