[发明专利]一种制备非晶碳化硅薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910090007.6 | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101985732A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 朱效立;宋曦;陈晨;谢常青;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备非晶碳化硅薄膜的方法，该方法采用电子束蒸发的方法，利用碳化硅作为电子束蒸发源，在衬底上沉积形成非晶碳化硅薄膜层。利用本发明提供的方法能够制备出性能良好的非晶碳化硅薄膜，主要应用于微电子器件领域，具有实用、高效、成本低等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 碳化硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备非晶碳化硅薄膜的方法，其特征在于，该方法采用电子束蒸发的方法，利用碳化硅作为电子束蒸发源，在衬底上沉积形成非晶碳化硅薄膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910090007.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
