[发明专利]快速闪光退火炉中的温度控制程控方法无效
| 申请号： | 200910090667.4 | 申请日： | 2009-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102003882A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 金泽军;伍三忠;龙会跃;姚琛;易文杰 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | F27D11/00 | 分类号： | F27D11/00;F27D19/00;G05D23/19;H01L21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101111 北京市中关村科技园通州园光机*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的快速闪光退火炉的温度控制程控方法，快速闪光退火炉是半导体行业的工艺设备，该发明属于半导体器件制造领域。硅晶片的加热升温方法采用卤素钨灯辐射加热升温法，共应用了28根1.5KW和2KW两种规格的卤素灯管，分别设置在炉腔的顶部和底部，各有14根灯管，顶部和底部的灯管成垂直交叉状安放，将28根灯管分成10个加热功率控制区，顶部和底部各分布5个加热功率控制区，为了保证硅晶片在加热退火处理过程中温度均匀，每个加热功率区安放不一样的灯管功率和灯管根数，顶部和底部的加热功率控制区的灯管数按对称分布，按照自适应算法模型对每个区的灯管加热实行精确调整和控制，以达到使炉腔中的硅晶片快速升温和温度均匀的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 闪光 退火炉 中的 温度 控制 程控 方法 | ||
【主权项】：
应用了28根1.5KW和2KW两种规格的卤素灯管，分别设置在炉腔的顶部和底部，各有14根灯管，顶部和底部的灯管成垂直交叉状安放，将28根灯管分成10个加热功率控制区，顶部和底部各分布5个加热功率控制区，10个加热功率控制区设计不同的灯管数和灯管功率，以达到使炉腔中的硅晶片快速升温和温度均匀的目的。
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