[发明专利]硅基化合物半导体激光器的制作方法无效
| 申请号： | 200910091403.0 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101997270A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 于丽娟;杜云;赵烘泉;黄永箴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硅基化合物半导体激光器的制作方法，包括：在N型磷化铟衬底上形成磷化铟激光器基片；将一N型硅片与上述激光器基片键合、退火，去掉N型磷化铟衬底及P型缓冲层，形成复合片；刻蚀P型欧姆接触层、第一P型覆盖层和腐蚀停止层的两侧，形成脊形波导；在脊形波导两侧制备绝缘隔离层；在脊形波导的顶部制备P型金属电极；刻蚀距脊形波导一侧部分的绝缘隔离层、第二P型覆盖层、本证波导层、有源区本证量子阱、本证波导层和N型波导层，露出N型覆盖层，形成N电极窗口；在N电极窗口上制备N型金属电极；将N型硅片减薄；解理形成单个管芯；将管芯焊接到铜热沉上，在热沉上制备一微晶玻璃，并连线；完成硅基化合物半导体激光器的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基化合物半导体激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在N型磷化铟衬底上用有机金属气相淀积方法依次外延形成P型缓冲层、P型欧姆接触层、第一P型覆盖层、腐蚀停止层、第二P型覆盖层、本证波导层、有源区本证量子阱、本证波导层、N型波导层、N型覆盖层和N高掺杂磷化铟，形成磷化铟激光器基片；步骤2：将一N型硅片与上述激光器基片，在水中直接键合、退火，机械减薄与化学减薄结合，去掉N型磷化铟衬底及P型缓冲层，形成复合片；步骤3：采用湿法刻蚀，刻蚀P型欧姆接触层、第一P型覆盖层和腐蚀停止层的两侧，形成脊形波导；步骤4：在脊形波导两侧制备绝缘隔离层；步骤5：在脊形波导的顶部制备P型金属电极；步骤6：采用湿法刻蚀，刻蚀距脊形波导一侧部分的绝缘隔离层、第二P型覆盖层、本证波导层、有源区本证量子阱、本证波导层和N型波导层，露出N型覆盖层，形成N电极窗口；步骤7：在N电极窗口露出的N型覆盖层上制备N型金属电极；步骤8：将N型硅片减薄；步骤9：解理形成单个管芯；步骤10：将管芯焊接到铜热沉上，在热沉上制备一微晶玻璃；步骤11：将N型金属电极用金线引到热沉上的微晶玻璃上，将P型金属电极引出引线，完成硅基化合物半导体激光器的制作。
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