[发明专利]具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结及其制备方法无效
| 申请号： | 200910091646.4 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101645464A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 崔益民;王荣明 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;C23C14/22;H01L43/00;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 | 代理人： | 周长琪 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结，该p-n异质结由p型半导体材料铽锰氧TbMnO3和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3构成。本发明的铽锰氧p-n异质结是采用脉冲激光沉积方法制备得到，经该方法制得的p-n异质结在150K以上的温度范围内均表现出优异的二极管正向整流特性，在125K以下的温度范围内均表现出优异的二极管反向整流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双向 整流 特性 铽锰氧 异质结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有双向整流特性的铽锰氧p-n异质结，其特征在于：该p-n异质结由p型半导体材料铽锰氧TbMnO3和n型导电材料掺铌钛酸锶Sr0.99Nb0.01TiO3构成。
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