[发明专利]一种线性响应巨磁电阻效应多层膜有效
| 申请号： | 200910091793.1 | 申请日： | 2009-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101996734A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;蔡建旺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;H01F10/26;H01F10/30 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种线性响应巨磁效应多层膜，该多层膜主要用作为巨磁电阻传感器的核心部件。该多层膜的特点在于其自由层为复合自由层，它在具有垂直耦合的多层膜“反铁磁偏置层/铁磁层/反铁磁间隔层/铁磁自由层”或者其反结构中“反铁磁间隔层”的上下两界面的任一处或两处插入一定厚度范围的非磁的“调控间隔层”。“调控间隔层”的插入可以很好地起到优化“铁磁自由层”线性度、大大降低其矫顽力的作用；此外，本发明通过改变“调控间隔层”的厚度可以调控“铁磁自由层”和“铁磁层”的垂直耦合强度从而调控“铁磁自由层”在垂直“铁磁层”钉扎方向的各向异性场的大小，亦即巨磁电阻传感器的磁场线性响应范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性 响应 磁电 效应 多层 | ||
【主权项】：
一种线性响应巨磁电阻效应多层膜，所述巨磁电阻效应多层膜采用底钉扎结构，所述巨磁电阻效应多层膜包括复合自由层，所述复合自由层包括：依次生长的反铁磁偏置层、铁磁层和铁磁自由层；其特征在于，所述复合自由层还包括反铁磁间隔层和调控间隔层，所述反铁磁间隔层和调控间隔层均位于铁磁层和铁磁自由层之间；所述调控间隔层的制作材料为非磁材料，单层所述调控间隔层的厚度为0.1nm‑5nm。
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