[发明专利]一种制备无磁性立方织构Ni-W合金基带的方法有效
申请号: | 200910091892.X | 申请日: | 2009-08-28 |
公开(公告)号: | CN101635186A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 高忙忙;索红莉;赵跃;高培阔;祝永华;王建宏;刘敏;马麟 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B12/06;C22C19/03;C22C1/04;C22F1/10 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 沈 波 |
地址: | 100124*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明属于高温超导涂层导体织构金属基带领域。本发明通过高能球磨控制W粉粒度,并通过优化坯锭烧结温度控制坯锭中富W区域的分布状态后,将坯锭进行冷拔及冷轧,而后进行再结晶热处理,获得无磁性立方织构Ni-W合金基带。本发明方法简单易行,所制备的Ni-W合金基带具有良好的表面质量和锐利的立方织构,可以直接外延生长过渡层和超导层;同时在液氮温区没有磁性,并具有很高的机械强度,可以满足进一步提高YBCO涂层导体性能的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 磁性 立方 ni 合金 基带 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制备无磁性立方织构Ni-W合金基带的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在保护性气氛中,将纯度为99.99%的W粉进行高能球磨,获得粒度为500nm~10um的W颗粒,球磨工艺为每球磨15min后停5min,有效球磨时间为1~4h;再将W颗粒与纯度为99.99%的Ni粉按照Ni与W的原子比为90.7∶9.3混合后,球磨4~10h,得到混合粉末;2)将混合粉末采用冷等静压的方法制备初始坯锭,压强为200MPa~250MPa,时间为3-8min;将初始坯锭在保护性气氛中进行均匀化退火,退火温度为900℃~1200℃,退火时间为10h~24h;3)将均匀化退火后的坯锭进行挤压变形,变形量为20%~50%,而后在保护性气氛中进行去应力退火,退火温度为400℃~550℃,退火时间为30min~120min;4)将去应力退火后的坯锭进行冷轧,道次变形量小于5%,总变形量大于99%,获得50um~100um厚的冷轧基带;5)将冷轧基带在保护性气氛中进行再结晶热处理,首先在600℃~750℃保温30min~60min后,升温至1300℃~1450℃保温60min~180min,得到无磁性立方织构Ni-W合金基带。
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