[发明专利]一种增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法无效
| 申请号： | 200910092190.3 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101644602A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 沈悦;谢珩;刘明;王成刚;朱西安 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | G01J5/00 | 分类号： | G01J5/00 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 梁 军 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法，其中，包括下列步骤：步骤A：在制备好的生长完铟柱的探测器芯片侧进行光刻；步骤B：利用离子铣设备在铟柱上生长金薄膜；步骤C：将探测器上的光刻胶去除干净；步骤D：将探测器芯片和读出电路的铟柱对准倒扣，并进行回流，完成倒装焊接工艺。本发明利用较低温度使铟柱间进行互熔，不会因为过高的回流温度来影响探测器本身的性能，能够大大加强铟柱连接的可靠性，且工艺难度低，容易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 红外 平面 探测器 读出 电路 电学 连接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增强红外焦平面探测器与读出电路铟柱电学连接的方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤A：在制备好的生长完铟柱的探测器芯片侧进行光刻；步骤B：利用离子铣设备在铟柱上生长金薄膜；步骤C：将探测器上的光刻胶去除干净；步骤D：将探测器芯片和读出电路的铟柱对准倒扣，并进行回流，完成倒装焊接工艺。
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