[发明专利]一种低织构的热解氮化硼(PBN)薄壁容器及其制备方法有效
| 申请号： | 200910092302.5 | 申请日： | 2009-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101643932A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 何军舫;房明浩;刘艳改;黄朝晖 | 申请（专利权）人： | 北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C01B21/064;C23C16/34 |
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| 地址： | 101101*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低织构的热解氮化硼(PBN)薄壁容器及其制备方法，属于热解法制备无机材料技术领域。该低织构的PBN薄壁容器采用热解法和高温烧结法二步工艺过程来制备。其制备工艺的特征在于：先在1200-1600℃温度范围的较低温度下采用热解获得非结晶态热解BN的薄壁容器；然后在1700℃-2200℃温度范围的较高温度下将非结晶态热解BN的薄壁容器进行长时间高温烧结析晶处理，制备得到PBN薄壁容器。本发明制备得到的PBN薄壁容器的优点为：1)制备得到的PBN薄壁容器PBN织构度低，各向同性；2)薄壁容器材质中PBN晶粒的粒径可以通过工艺条件来实现调控；3)沿着容器壁厚度方向(“a”)的导热率降低，易于在垂直梯度凝固(VGF)法生长半导体单晶工艺中建立有效的温度梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低织构 氮化 pbn 薄壁 容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、本发明涉及一种热解氮化硼(PBN)薄壁容器及其制备方法，其特征在于采用热解法和高温烧结法二步工艺过程来制备：第一步先制备得到非结晶态热解BN薄壁容器；第二步再进行高温烧结析晶热处理，获得低织构的PBN薄壁容器。
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