[发明专利]一种光电极的制备方法无效
| 申请号： | 200910092312.9 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102013331A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 孙文涛;彭练矛;高显峰 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20;H01M14/00;H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电极的制备方法，首先在导电基底上制备宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列，然后在减压条件下利用近空间升华法将窄禁带半导体纳米颗粒填充到宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列中，得到窄禁带半导体和宽禁带半导体异质结薄膜光电极。窄禁带半导体纳米颗粒加强了宽禁带半导体纳米阵列膜对可见光的响应，该光电极对可见光的吸收明显增强，从而提高了光电转换效率。而且，近空间升华法所需设备简单，操作容易，生产成本低，使得本发明制备光电极的方法宜于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光电极的制备方法，首先在导电基底上制备宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列，然后在减压条件下利用近空间升华法将窄禁带半导体纳米颗粒填充到宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列中，得到窄禁带半导体和宽禁带半导体异质结薄膜光电极。
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