[发明专利]一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法

摘要

本发明涉及一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法，属于半导体器件技术领域。所述方法包括以下步骤：分析所述肖特基正向I-V特性曲线中的第三段曲线对应的物理过程，所述第三段曲线对应了电压全部施加在所述第一二极管上产生电流的物理过程，此时电压不再施加在所述第二二极管上，所述第三段曲线包括一段线性区；对所述第三段曲线进行线性拟合得到斜率为k₃的直线，根据所述直线的斜率k₃，求出第一二极管的肖特基接触的理想因子n₁和实际势垒高度φ₁。本发明的参数提取方法是针对GaN HEMT器件高温存储后肖特基正向I-V特性曲线出现凹进的新现象而提出的，应用所述方法提取的参数值与实际值基本吻合。

主权项

1.一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法，所述GaN HEMT器件的等效电路模型是由背对背式的第一二极管和第二二极管串联而成，所述第一二极管是金属和AlGaN之间的肖特基二极管，所述第二二极管是在AlGaN/GaN异质结界面上的等效二极管；所述GaN HEMT器件的肖特基正向I-V特性曲线由依次相连的第一段曲线(C1)、第二段曲线(C2)、第三段曲线(C3)和第四段曲线(C4)组成，所述四段曲线之间以拐点为界，其特征在于，所述肖特基参数提取方法包括以下步骤：步骤a：分析所述肖特基正向I-V特性曲线中的第三段曲线(C3)对应的物理过程，所述第三段曲线(C3)对应了电压全部施加在所述第一二极管上产生电流的物理过程，此时电压不再施加在所述第二二极管上，所述第三段曲线(C3)包括一段线性区，所述线性区位于所述GaN HEMT器件的开启电压对应的曲线上的点与所述第二段曲线(C2)和第三段曲线(C3)之间的拐点之间；步骤b：对所述第三段曲线(C3)的线性区进行线性拟合得到直线(F3)，其斜率为k₃，根据所述直线(F3)的斜率k₃求出所述第一二极管的肖特基接触的理想因子n₁和实际势垒高度