[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910093380.7 | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102023431A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 谢振宇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。制造方法包括：沉积栅金属薄膜、栅绝缘层和半导体薄膜，形成包括栅线和准半导体层的图形；沉积钝化层，形成半导体层图形，在半导体层所在位置形成包括源电极过孔和漏电极过孔的图形，且在源电极过孔和漏电极过孔内的半导体层表面形成掺杂半导体层；沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜，形成包括像素电极、数据线、源电极和漏电极的图形，源电极通过源电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接，漏电极通过漏电极过孔内的掺杂半导体层与半导体层连接。本发明通过三次工艺即可实现TFT-LCD阵列基板的制备，工艺相对简单，可最大限度地缩短工艺时间，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括数条栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的每个像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的源电极和漏电极分别通过半导体层表面形成的掺杂半导体层与半导体层连接。
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