[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200910093385.X | 申请日： | 2009-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN102023433A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李伟;李正勲 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 曲鹏 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。TFT-LCD阵列基板包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和透明漏电极。透明漏电极与像素电极同层设置，并在同一次构图工艺中形成。透明漏电极与像素电极为一体结构。本发明通过第一次构图工艺形成栅线和栅电极，通过第二次构图工艺形成数据线和源电极，通过第三次构图工艺形成钝化层过孔，通过第四次构图工艺形成透明漏电极和像素电极。由于本发明采用透明漏电极，因此有效增加了像素区域的透光面积，提高了开口率。开口率的提高不仅可以增加亮度，而且可以降低背光板的亮度，从而节省能耗和制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和透明漏电极。
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