[发明专利]一种单相纳米晶Mn3(Cu0.5Ge0.5)N负热膨胀块体材料的制备方法有效
| 申请号： | 200910093654.2 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101724907A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 宋晓艳;孙中华;徐玲玲 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C22C29/16;C22C1/05 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于新型功能材料和粉末冶金技术领域，涉及一种单相纳米晶Mn3(Cu0.5Ge0.5)N负热膨胀块体材料的制备方法。本发明首先制备出粗晶结构的Mn3(Cu0.5Ge0.5)N块体材料，其特征在于：将上述粗晶结构的Mn3(Cu0.5Ge0.5)N块体材料破碎成粉末颗粒，再进行球磨处理，球磨工艺参数为：球料质量比20∶1～50∶1，球磨时间20h～50h，得到具有纳米晶和非晶混合结构的Mn3(Cu0.5Ge0.5)N化合物粉末；利用放电等离子烧结技术对球磨后的Mn3(Cu0.5Ge0.5)N化合物粉末在氮气保护下进行烧结，烧结温度600～700℃，烧结压力400～500MPa，保温时间0～5min。本发明制备的材料平均晶粒尺寸范围为20～40nm，负热膨胀发生的起始温度为220～240K，负热膨胀性能存在的温度区间宽度为140～160K，负热膨胀系数为-3.6×10-6K-1～-6.0×10-6K-1。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单相 纳米 mn sub cu 0.5 ge 热膨胀 块体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单相纳米晶Mn3(Cu0.5Ge0.5)N负热膨胀块体材料的制备方法，首先按照如下现有方法制备出粗晶结构的Mn3(Cu0.5Ge0.5)N块体材料，即：以Mn2N0.86粉末、Cu粉末和Ge粉末为原料，均匀混合后利用放电等离子烧结技术在氮气保护条件下进行烧结，烧结工艺参数为：烧结温度720～820℃，烧结压力30～60MPa，保温时间5～30min；然后以粗晶结构的Mn3(Cu0.5Ge0.5)N块体材料为初始材料制备单相纳米晶Mn3(Cu0.5Ge0.5)N负热膨胀块体材料，其特征在于，包括以下步骤：1)将上述粗晶结构的Mn3(Cu0.5Ge0.5)N块体材料破碎成粉末颗粒，再进行球磨处理，球磨工艺参数为：球料质量比20∶1～50∶1，球磨时间20h～50h，得到具有纳米晶和非晶混合结构的Mn3(Cu0.5Ge0.5)N化合物粉末；2)利用放电等离子烧结技术对球磨后的Mn3(Cu0.5Ge0.5)N化合物粉末在氮气保护下进行烧结，烧结工艺参数为：烧结温度600～700℃，烧结压力400～500MPa，保温时间0～5min，得到单相纳米晶Mn3(Cu0.5Ge0.5)N块体材料。
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