[发明专利]一种异质结和光电化学混合太阳能电池有效
| 申请号： | 200910093736.7 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101694816A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 舒勤科;韦进全;王昆林;朱宏伟;李祯;贾怡;桂许春;郭宁;李昕明;马超然;吴德海 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市10*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种属于太阳能电池和纳米材料应用技术领域的异质结和光电化学混合太阳能电池结构。其特征在于，所述的透明电极层、半导体纳米线阵列和电解溶液层两两接触，透明电极层与半导体纳米线阵列形成异质结太阳能电池，透明电极层、半导体纳米线阵列和电解溶液层共同形成光电化学太阳能电池。本发明提供的这种具有新型结构的太阳能转换装置，是由异质结太阳能电池和光化学电池混合而成，并同时具有两种电池的特征，光电转换效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 光电 化学 混合 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种异质结和光电化学混合太阳能电池，该太阳能电池结构从下至上依次含有：Ag层(1)、Pd(2)层、Ti(3)层、半导体基底层(4)，在半导体基底层的上表面的中心区域有刻蚀出的半导体纳米线阵列(5)；在半导体基底层的上表面没有半导体纳米线阵列的边缘区域，是绝缘封闭层(6)；绝缘封闭层之上是透明电极层(7)，透明电极层同时和半导体纳米线阵列接触；绝缘封闭层中心是电解溶液层(8)；透明电极层上面是透明封装材料层(9)；其中，Ag层、Pd、Ti共同形成电池的下电极层；电解溶液层中的电解液会渗入半导体纳米线阵列中；其特征是在于：所述的透明电极层、纳米半导体层和电解溶液层两两接触，透明电极层与纳米半导体层形成异质结太阳能电池，透明电极层、纳米半导体层和电解溶液层共同形成光电化学电池。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910093736.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
