[发明专利]一种酶电极及其制备方法有效
申请号: | 200910093808.8 | 申请日: | 2009-09-21 |
公开(公告)号: | CN102023181A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 李景虹;李利淼;黄瑾 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01N27/327 | 分类号: | G01N27/327;B82B3/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 史双元 |
地址: | 100084 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了属于生物传感器领域的一种酶电极。本发明的酶电极由基底电极和固着在基底电极表面的反应层构成,所述反应层为固定有酶的掺杂半导体纳米线。本发明还公开了该酶电极的制备方法。采用掺杂半导体纳米线来固定酶分子,实现了酶分子的直接电化学性能。这种酶电极具有很好的催化活性和较宽的线性范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种酶电极,其特征在于,由基底电极和固着在基底电极表面的反应层构成,所述反应层为固定有酶的掺杂半导体纳米线;所述基底电极为铟锡氧化物、玻碳电极,热解石墨电极,碳糊电极或金电极;所述酶为辣根过氧化物酶、血红蛋白、肌红蛋白、细胞色素C、葡萄糖氧化酶、酪氨酸酶、漆酶、还原酶、过氧化氢酶、脱氢酶或氧化还原酶;所述半导体纳米线的材料为ZnO、SnO2、In2O3、Cu2O、WO3、Fe3O4、TiO2、CdTe或CdS;所述掺杂半导体纳米线中的掺杂物质为Sb、In、Sn、Al、N、Ga、La、Mn或Co。
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