[发明专利]一种半导体太阳电池的制作方法无效
| 申请号： | 200910095139.8 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101702414A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 郝瑞亭;申兰先;杨培志;邓书康;涂洁磊;廖华 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明慧翔专利事务所 53112 | 代理人： | 程韵波 |
| 地址： | 650092 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体太阳电池的制作方法，包括以下步骤：以掺杂砷化镓单晶片为衬底，利用分子束外延(MBE)生长技术，在砷化镓衬底上生长子电池吸收层。具体过程包括：在580℃下，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，生长p+GaAsSb/n+GaAsSb隧穿结，在450℃下，生长GaSb层，生长p+GaSb/n+InAsSb隧穿结，在430℃下，生长InGaAsSb合金层，在砷化镓单晶片衬底表面制作顶电极，在InGaAsSb合金层表面制作背电极，然后进行封装，完成太阳电池的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 太阳电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体太阳电池的制作方法，其特征在于：其具体实施步骤为：1)以掺杂砷化镓单晶片为衬底，利用分子束外延生长技术，在580℃下，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；2)在GaAs缓冲层上生长p+GaAsSb/n+GaAsSb隧穿结；3)在450℃下，在p+GaAsSb/n+GaAsSb隧穿结上生长GaSb层；4)在GaSb层上生长p+GaSb/n+InAsSb隧穿结；5)在430℃下，在p+GaSb/n+InAsSb隧穿结上生长InGaAsSb合金层；6)在砷化镓单晶片衬底表面制作顶电极，在InGaAsSb合金层表面制作背电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
