[发明专利]采用自蔓延高温合成制备(TiB2+TiC)弥散强化铜基复合材料的方法无效
| 申请号： | 200910095180.5 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101775514A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 朱心昆;李才巨;赵昆渝;陶静梅;陈铁力 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C32/00;C22C9/00 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 53115 | 代理人： | 赛晓刚 |
| 地址： | 650093云南省昆明市*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种采用自蔓延高温合成制备(TiB2+TiC)弥散强化铜基复合材料的方法：以粒度均小于100目，纯度均大于99％的Cu粉、Ti粉和B4C粉为原料，将一定量的Cu粉、Ti粉和B4C粉(Cu粉与Ti+B4C粉的质量比为50∶50～60∶40，其中Ti粉与B4C粉的摩尔比为3∶1)混合后在室温下高能球磨3～10小时；然后将混合粉末冷压成型；最后在真空炉室采用电弧引燃压坯，通过压坯的自蔓延高温合成制备(TiB2+TiC)弥散强化的铜基复合材料，TiB2和TiC颗粒的平均粒径为2～8μm。本发明采用简单的自蔓延高温合成方法原位反应合成制备TiB2弥散强化铜基复合材料，具有工艺简单、生产成本低、产品产量和质量高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 蔓延 高温 合成 制备 tib sub tic 弥散 强化 复合材料 方法 | ||
【主权项】：
一种采用自蔓延高温合成制备(TiB2+TiC)弥散强化铜基复合材料的方法，其特征在于：以粒度均小于100目，纯度均大于99％的Cu粉、Ti粉和B4C粉为原料，将一定量的Cu粉、Ti粉和B4C粉混合后在室温下高能球磨3～10小时；然后将混合粉末冷压成型；最后在真空炉室采用电弧引燃压坯，通过压坯的自蔓延高温合成制备(TiB2+TiC)弥散强化的铜基复合材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学，未经昆明理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910095180.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
