[发明专利]一种聚二甲基硅氧烷表面纳米结构的制作方法无效

专利信息
申请号: 200910095502.6 申请日: 2009-01-19
公开(公告)号: CN101503175A 公开(公告)日: 2009-08-12
发明(设计)人: 王敏;鹿燕 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 代理人: 盛辉地
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种聚合物表面的纳米结构的制作方法,是通过电解铝片的方法制得阳极氧化铝膜,然后将聚二甲基硅氧烷浇注到阳极氧化铝模板上,经固化、脱膜,在聚合物的表面形成一层纳米结构;制作步骤简单,所用试剂便宜,不需要先进的制作设备,在一般的实验室就可以普及,制得的阳极氧化铝模板,聚二甲基硅氧烷纳米结构可以重复利用。
搜索关键词: 一种 聚二甲基硅氧烷 表面 纳米 结构 制作方法
【主权项】:
1、一种聚合物表面的纳米结构的制作方法,其特征是:通过电解铝片的方法制得阳极氧化铝膜,然后将聚二甲基硅氧烷浇注到阳极氧化铝模板上,经固化、脱膜,在聚合物的表面形成一层纳米结构,步骤如下:(A)阳极氧化铝模板的制备(1). 首先把铝片在乙醇溶液和去离子水里各超声清洗5分钟,放在程序升温炉中高温灼烧3小时,消除内应力;(2). 再把消除内应力的铝片在体积比为2∶2∶1的硫酸、磷酸和硝酸的混合酸溶液中,40℃保持20分钟除去铝表面油脂,用去离子水清洗干净;(3). 然后将上述铝片在体积比为2∶2∶1的硫酸、磷酸和水的混合溶液中,进行电化学抛光15分钟,电压15V,保持温度为25℃,以碳棒为参比电极,取出用去离子水清洗;(4). 将上述铝片在0.6mol/L的硫酸中进行一次氧化2小时,电压为25V,用水浴法保持温度15℃以下;(5). 将上述一次氧化铝片在质量百分比浓度为6%的磷酸和质量百分比浓度为1.8%的铬酸,按体积比1∶1混合而成的溶液中,60℃浸泡1小时,除去一次氧化层;(6). 再在0.6mol/L的硫酸溶液中进行二次氧化2小时,电压为25V,用水浴法保持电解液温度处在15℃以下,氧化完成后在磷酸溶液中浸泡半小时,制得阳极氧化铝模板;(B)高聚物表面纳米结构的制备(1). 配制聚二甲基硅氧烷高聚物,将前驱体聚二甲基硅氧烷和固化剂按10∶1的质量比例混合均匀,在真空干燥箱里抽真空半小时,除去搅拌时产生的气泡;(2). 将步骤(A)制备的阳极氧化铝模板表面用去离子水清洗干净后,将配制好的聚二甲基硅氧烷浇注到阳极氧化铝模板上,在75℃真空干燥箱中加热1小时固化;(3). 将聚二甲基硅氧烷高聚物固化后的阳极氧化铝模板,放在乙醇溶液中浸泡半小时,剥落氧化铝膜,在高聚物的表面形成一层纳米结构。
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