[发明专利]带门极电阻布局的功率MOSFET模块有效
| 申请号： | 200910097414.X | 申请日： | 2009-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101582394A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 金晓行;刘志宏;胡少华;朱翔;李冯;沈华 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/488;H01L27/088 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 沈志良 |
| 地址： | 314000浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带门极电阻布局的功率MOSFET模块，它主要包括基板、直接敷铜基板(DBC)、功率MOSFET晶体管芯片、门极电阻和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合，门极电阻，功率MOSFET晶体管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、源极和漏极组成。本发明具有兼容性好，应用的电流范围大，均流性能好，生产成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 带门极 电阻 布局 功率 mosfet 模块 | ||
【主权项】：
1、一种带门极电阻布局的功率MOSFET模块，包括基板、直接敷铜基板、功率MOSFET芯片和功率端子，基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，门极电阻、功率MOSFET芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，其特征在于基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板，每块直接敷铜基板都由门极、源极和漏极组成。
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