[发明专利]一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法和装置

摘要

本发明涉及一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法，包括1)将半导体材料填加到坩埚内：用运载气体携带半导体材料通过通道到达置于薄膜真空沉积腔内的坩埚；2)加热坩埚使半导体材料受热升华成气相并沉积在衬底上。本发明的有益效果：用运载气体携带半导体材料通过通道到达置于真空沉积腔内的坩埚内，无需打开薄膜真空沉积腔而直接向薄膜真空沉积装置连续或间隙供应半导体材料，由运载气体携带的半导体材料通过进料分配器均匀地分布在坩埚底部，解决了现有技术中存在的随着半导体材料在玻璃衬底上沉积形成薄膜，坩埚内半导体材料容量随之减少，导致玻璃衬底和原材料之间距离增大的问题，在同一衬底上所得到的薄膜的均匀度能有效控制。

主权项

1、一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法，包括：1)将半导体材料填加到坩埚内：用运载气体携带半导体材料通过通道到达置于薄膜真空沉积腔内的坩埚；2)加热坩埚使半导体材料受热升华成气相并沉积在衬底上。