[发明专利]一种快速烧写NAND flash的方法和装置有效

专利信息
申请号: 200910097909.2 申请日: 2009-04-23
公开(公告)号: CN101527161A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 徐旭斌;张根林 申请(专利权)人: 浙江正原电气股份有限公司
主分类号: G11C7/00 分类号: G11C7/00;G06F12/00;G05B19/04
代理公司: 杭州丰禾专利事务所有限公司 代理人: 王从友
地址: 314003浙江省嘉*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种存储器烧写方法和装置,特别涉及一种NAND flash的烧写方法和装置。本发明采用子盘拷贝母盘的方式,直接将母盘中的程序移植到子盘中,可非常快速的对NAND flash进行程序烧写;特别是每一个烧写好程序的子盘又可以作为母盘使用,当大批量的进行NAND flash程序的烧写时,使用多台本发明的烧写装置可以使产能成几何级数的增长。
搜索关键词: 一种 快速 nand flash 方法 装置
【主权项】:
1、一种快速烧写NAND flash的方法,该方法用已经烧写好所需程序的NANDflash作为母盘以及未写入所需程序的NANDflash作为子盘,将母盘和子盘插在NAND flash烧写装置主控制器的I/O接口上,通过NAND flash烧写装置的主控制器执行对NAND flash的烧写,该方法包括以下步骤:(1)对NANDflash母盘读ID进行连接检测判断,若连接正常则进入下一步骤,若连接出错则进行提示;(2)对NANDflash子盘读ID进行连接检测判断,若连接正常则进入下一步骤,若连接出错则进行提示;(3)对NANDflash母盘进行检测,得到母盘的使用块数;(4)对NANDflash子盘进行擦除,在擦除每一块时,判断此块是否是坏块,如果是,则将此块标记并在内存中建立相应的坏块列表;(5)将NANDflash母盘中的内容拷贝到NANDflash子盘中,在拷贝时若遇到子盘中标记的坏块,则跳过此块,将母盘中的内容拷贝到下一块中;(6)对NANDflash子盘进行检测,得到子盘的使用块数;(7)将NANDflash母盘和子盘的使用量进行对比;若两者使用量相等,则烧写成功。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江正原电气股份有限公司,未经浙江正原电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910097909.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top