[发明专利]一次性可编程单元和阵列及其编程和读取方法无效
| 申请号： | 200910098495.5 | 申请日： | 2009-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101887756A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 赵启永;陈焱;周炯 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/08 | 分类号： | G11C17/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一次性可编程单元包括可击穿栅氧介质的存储元件、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，存储元件第一端连接第一电压端，第二端连接第一NMOS漏极，第一NMOS栅极连接第二电压端，第一NMOS源极连接第二NMOS漏极，第二NMOS栅极连接行选择端，第二NMOS源极连接列选择端；一次性可编程阵列包括M行行线，N列列线，以及M×N个如上一次性可编程单元，一次性可编程阵列编程方法为第一电压端施加恒定的第一电压；第二电压端施加恒定的第二电压；各行线施加行选择电压；各列线施加列选择电压。本发明提供的一次性可编程单元和阵列及其编程方法，无需高压译码，工艺要求低、成本较低，扩大了应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一次性 可编程 单元 阵列 及其 编程 读取 方法 | ||
【主权项】：
一次性可编程单元其特征在于包括：可栅氧化层击穿的存储元件、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述存储元件为两端元件，两端之间为可击穿的栅氧介质，存储元件的第一端连接第一电压端P，所述存储元件的第二端连接所述第一NMOS晶体管的漏极，第一NMOS晶体管的栅极连接第二电压端D，第一NMOS晶体管的源极连接所述第二NMOS晶体管漏极，第二NMOS晶体管的栅极连接行选择端R，第二NMOS晶体管的源极连接列选择端C。
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