[发明专利]半导体接触四极管电荷数密度差式热电转换装置无效
| 申请号： | 200910098527.1 | 申请日： | 2009-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101887944A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 冯建明 | 申请（专利权）人： | 冯建明 |
| 主分类号： | H01L37/00 | 分类号： | H01L37/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315500 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用半导体接触回路中同一种半导体之间的电荷数密度差工作的热电转换装置，它由二块N型半导体板和二块P型半导体板相互接触构成，N型半导体板1的右表面与P型半导体板2的左表面接触在一起，P型半导体板2的右表面与N型半导体板3的左表面接触在一起，N型半导体板3的右表面与P型半导体板4的左表面接触在一起。在N型半导体板1与N型半导体板3之间接上负载，或在P型半导体板2与P型半导体板4之间接上负载，负载中有电能输出，实现将热能转换成电能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接触 四极管 电荷 密度 热电 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体接触四极管电荷数密度差式热电转换装置，其特征在于，它由二块N型半导体板和二块P型半导体板相互接触构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冯建明，未经冯建明许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910098527.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种葛根素单晶及其制备方法
- 下一篇：集成触摸屏的有机发光二极管显示器
