[发明专利]纳米Zn晶界改性的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910098783.0 申请日: 2009-05-14
公开(公告)号: CN101615461A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: 严密;崔熙贵;马天宇;罗伟 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F1/08;B22F9/04;B22F3/16
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 代理人: 张法高
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种纳米Zn晶界改性的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体的制备方法。其步骤为:1)主相合金与晶界相合金分别制备,主相合金采用铸造工艺或速凝甩带工艺制成铸锭或速凝薄带,晶界相合金采用快淬工艺制成快淬带;2)将制备的主相合金和晶界相合金分别制粉;3)将纳米Zn粉与晶界相合金粉末均匀混合,使其均匀分散在晶界相合金粉末表面;4)将纳米Zn改性的晶界相合金粉末与主相合金粉均匀混合后,在磁场中取向压型制成生坯;5)将生坯在高真空烧结炉内烧结并回火制成最终磁体。本发明制得的烧结钕铁硼磁体性能高,耐腐蚀性好,而且工艺简单、易操作,适于大规模批量生产。
搜索关键词: 纳米 zn 改性 高耐蚀性 烧结 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米Zn晶界改性的高耐蚀性烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)主相合金采用铸造工艺或速凝甩带工艺制成铸锭或速凝薄带,晶界相合金采用快淬工艺制成快淬带;然后分别通过机械破碎或者氢爆破碎进行粗破碎,粗破碎后经球磨或气流磨细磨,制得平均颗粒直径为2-10μm的主相合金粉末和1-8μm的晶界相合金粉末;2)在晶界相合金粉末中添加重量百分比为1%-20%的纳米Zn粉和1%-10%的抗氧化剂,均匀混合后得到纳米Zn改性的晶界相合金粉末;3)将重量百分比为1-20%的纳米Zn改性的晶界相合金粉末添加到主相合金粉末中,加入重量百分比为0.5%-5%的汽油,然后在混料机中均匀混合制成混合粉末;4)混合粉末在1.2-2.0T的磁场中取向压型制成生坯;5)将生坯在1050-1125℃下真空烧结2-4h,再经850-950℃一级回火2-4h和500-650℃二级回火2-4h,制得磁体。
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