[发明专利]一种将单端生长型复合晶体热键合为双端生长型复合晶体的方法无效
| 申请号： | 200910098975.1 | 申请日： | 2009-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101565857A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 刘崇;葛剑虹;项震;胡淼 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种将单端生长型复合晶体热键合为双端生长型复合晶体的方法。包括如下步骤：1)选择两块单端生长型的复合晶体，单端生长型的复合晶体包括掺杂区和不掺杂区；2)设定双端生长型复合晶体的掺杂区的长度为d2，双端生长型复合晶体一端的不掺杂区的长度为d1，双端生长型复合晶体另一端的不掺杂区的长度为d3，通过抛光的方法确定两块单端生长型的复合晶体的长度；3)通过热键合的工艺方法将两块单端生长型复合晶体的掺杂区连接在一起。本发明提高通用性，降低生产成本。只需掌握单端生长型复合晶体的生长工艺，配合成熟的热键合工艺，就可以获得双端生长型复合晶体，降低了双端生长型复合晶体的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 将单端 生长 复合 晶体 热键 方法 | ||
【主权项】：
1.一种将单端生长型复合晶体热键合为双端生长型复合晶体的方法，其特征在于包括如下步骤：1)选择两块单端生长型的复合晶体，单端生长型的复合晶体包括掺杂区和不掺杂区，不掺杂区的长度为0.1mm～20mm，晶体切割方向为a-cut或者c-cut，掺杂浓度为0.01～10at.％；2)设定双端生长型复合晶体的掺杂区的长度为d2，双端生长型复合晶体一端的不掺杂区的长度为d1，双端生长型复合晶体另一端的不掺杂区的长度为d3，通过抛光的方法确定两块单端生长型的复合晶体的长度，其中，一块单端生长型复合晶体的不掺杂区的长度为d1’，掺杂区长度为d2’，另一块单端生长型复合晶体的不掺杂区的长度为d3’，掺杂区长度为d2”，且满足以下条件d1’＝d1，d3’＝d3，d2’+d2”＝d23)将两块单端生长型复合晶体的掺杂区一端的端面进行精细抛光，在室温下相互接触，晶体的光轴相互重合，然后进行热处理，热处理过程中使用的温度范围为所键合晶体中熔点较低的那块晶体的熔点的0.1～0.9倍，高温保持的时间在4～80小时，通过热键合的工艺方法将两块单端生长型复合晶体的掺杂区连接在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910098975.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
